در این مقاله، یک مدار تقویت‌کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستم‌های مخابرات نوری ارائه می‌شود. در این مدار یک پیش‌تقویت‌کننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت‌کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

بررسی تغییرات بسامدیِ امپدانس اکوستیکی می تواند نقش مهمی در شناسایی، و بهینه سازیِ یک ساز داشته باشد. برای یک لوله ی ساده امپدانس (پاگیری) اکوستیکیِ ورودی با روش های تحلیلی قابل محاسبه است، اما برای اشکال هندسی پیچیده مثل سازهای بادی نمی توان امپدانس اکوستیکیِ ورودی را با روش های تحلیلی به سادگی محاسبه کرد؛ از این رو، امپدانس اکوستیکیِ ورودیِ سازهای بادی را اندازه می گیرند. این مقاله، گزارش نخستین آز...

آرایه دوتایی از المان های تک قطبی پلاسمایی با تحریک موج سطحی با روش عددی fdtdمورد تحلیل و ارزیابی قرار می گیرد. با تغییر توان تحریک المان های پلاسمایی، آرایه ای حاصل می شود که می تواند برای فرکانس های کاری مختلف مجدداً تغییر شکل دهد. المان های پلاسمایی با توان rfدر فرکانس 500 مگاهرتز و فشار گاز آرگون 4/0میلی بار از طریق تقسیم کننده توان هم فاز و هم دامنه تغذیه می شوند. نتایج نشان می دهند که تغیی...

هدف این مقاله بررسی تاثیر جریان گاز در کانال سوخت و درون الکترود آند بر طیف امپدانس الکتروشیمیایی پیل سوختی اکسید جامد است. به این منظور، با درنظر گرفتن معادلات گذرای بقای جرم، بقای تکانه، بقای اجزاء و معادلات الکتروشیمیایی، امپدانس الکتروشیمیایی شبیه ­سازی شده است. نتایج به ­دست آمده نشان داده است که جریان گاز و انتقال جرم در کانال سوخت منجر به پیدایش کمانی به ­صورت یک نیم­ دایره فشرده ­شده و ...

چکیده نیاز به فیلتر emi در ورودی وسایل برقی جهت رعایت مقررات استانداردهای سازگاری الکترومغناطیسی الزامی است. موضوع اصلی این رساله در مورد مسائل مرتبط با طراحی این فیلترها از قبیل مشخصه منبع نویز و پارامترهای پارازیتی عناصر فیلتر می باشد. تعیین میزان تضعیف مورد نیاز برای نویزهای cm و dm تولید شده از سوی وسایل برقی نقطه شروع مراحل طراحی فیلتر بوده که باید توسط اندازه گیری و یا شبیه سازی تعیین شو...

در این مقاله، یک ساختار جدید برای اینورتر پُل H آبشاری چندسطحی مبتنی بر مبدل منبع امپدانس DC-DC ارائه شده است که تنها نیاز به یک ورودی DC دارد. به‌منظور ایجاد چند ورودی ولتاژ ایزوله موردنیاز برای اینورترهای پُل H از مبدل منبع امپدانس ترانسفورماتور DC-DC استفاده شده که توانایی افزایش سطح ولتاژ را نیز دارد. در ساختار جدید، اصول عملکرد و کلیه روابط حاکم بر مبدل پیشنهادی به‌طور کامل بررسی شده است. نم...

این مقاله مبدل شبه منبع امپدانس را با یک اینورتر پنج ­سطحه ترکیب می­کند. اینورتر پنج­ سطحه­ی مورد استفاده متشکل از دو منبع ولتاژ dc، دو مبدل شبه منبع امپدانس و پنج کلید قدرت می­باشد. در این ساختار به دلیل حضور مبدل شبه منبع امپدانس، دامنه­ی ولتاژ خروجی اینورتر به ولتاژ منابع dc محدود نمی­شود و قابلیت افزایش آن وجود دارد. قابلیت اطمینان و بازده بالا که از ویژگی­های مبدل­های مبتنی بر منبع امپدانس...

در این مقاله یک روش جدید برای محاسبه پترن تشعشعی و امپدانس ورودی یک آرایه آنتن مسطح میکرواستریپ شامل پچ های مستطیلی با در نظر گرفتن اثر تزویج متقابل، و امپدانس متقابل بین المان ها ارائه شده است. در این روش سطح آنتن های مورد نظر به تعداد زیادی مثلث دلخواه تقسیم می شود. هر زوج مثلث که دارای یک لبه مشترک باشند، تشکیل یک المان لبه RWG می دهند. هر المان لبه به صورت یک دایپل بی نهایت کوچک در نظر گر...

خلاصه: در این مقاله، طراحی تقویت‌کننده کم نویز (LNA) با القاگر در سورس در فرکانس 2.4GHz ارائه شده است. فناوری استفاده شده در طراحی این مقاله TSMC 0.18um CMOS است. ساختار کسکود باعث کاهش توان مصرفی در مدار می‌شود[1]؛ از طرفی مزیت استفاده از ساختار کسکود، افزایش امپدانس خروجی در مدار است که این افزایش امپدانس، افزایش بهره مدار را به دنبال دارد. مدار ارائه‌شده یک تقویت‌کننده کم نویز کسکود شده با ا...